Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияK.U. Leuven, B-3001, Heverlee, Belgium * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптоэлектронные параметры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при высоких температурах, в зависимости отихмикроструктуры

Adriaenssens G.J., Голикова О.А., Grevendonk W.

Adriaenssens G.J., Голикова О.А., Grevendonk W. Оптоэлектронные параметры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при высоких температурах, в зависимости отихмикроструктуры // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 121

Аннотация Исследованы оптические модуляционные спектры и фотопроводимость ряда пленок a-Si : H, содержащих 5--6 ат% водорода и отличающихся по величине микроструктурного параметра (R=0.2-0.8). Получена информация о плотности дефектов в пленках, размытии краев зон, величине щели, а также о величине произведения подвижности на время жизни электронов. Показано осущественное влияние микроструктуры на оптоэлектронные параметры пленок с низким содержанием водорода.