Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении

Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В.

Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 132

Аннотация Проведено исследование влияния легирования германием на эффективность образования основных вторичных радиационных дефектов в кремнии при низкотемпературном (T=<90 K) электронном облучении. Снижение эффективности образования A- и V2-центров в Si<Ge> в условиях эксперимента объясняется в предположении, что атомы германия являются центрами непрямой рекомбинации радиационных дефектов вSi<Ge>.