Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет,195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сверхмелкие p+-n-переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области

Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Робозеров С.В.

Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Робозеров С.В. Сверхмелкие p+-n-переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 137

Аннотация Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области электронами малых и средних энергий используется для анализа сверхмелких p+-n-переходов в кремнии (100), которые создаются в условиях неравнавесной примесной диффузии. Исследуется энергетическая зависимость коэффициента радиационной проводимости, а также его распределение по площади p+-n-перехода. Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесной диффузии, лежащих в основе получения сверхмелких p-n-переходов. Кроме того, впервые представляются разультаты исследований распределения вторичных точечных центров, которые образуются вблизи границы сверхмелкого диффузионного профиля и в значительной степени влияют на транспорт неравновесных носителей. Полученные данные демонстрируют возможности повышения эффективности повышения фотоприемников, детекторов alpha-частиц и солнечных батарей, создаваемых на основе сверхмелких p-n-переходов.