Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs

Карпович И.А., Степихова М.В.

Карпович И.А., Степихова М.В. Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 182

Аннотация Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In0.5Ga0.5P на спектры фотомагнитного эффекта, барьерной фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс в GaAs. Обнаружено увеличение скорости поверхностной рекомбинации и аномальной дрейфовой компоненты фотомагнитного эффекта с ростом коэффициента поглощения в области сильного поглощения и выяснено влияние этих эффектов на спектры фоточувствительности. Показана возможность определения рекомбинационных параметров слоев фотоэлектрическими методами.