Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 Организация*Российский научный центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия +Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, 127412 Москва, Россия -Институт радиотехники и электроники Российской академии ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Вольт-амперные характеристики структур на основе Si : B сблокированной проводимостью по примесной зоне в режиме ограничения фотоотклика прыжковым транспортом

Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Козлов А.М., Леотин Ж., Рыльков В.В.

Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Козлов А.М., Леотин Ж., Рыльков В.В. Вольт-амперные характеристики структур на основе Si : B сблокированной проводимостью по примесной зоне в режиме ограничения фотоотклика прыжковым транспортом // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 192

Аннотация Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 1010/ 1015 фотон/см2·с. Фотовозбуждение осуществлялось с помощью излучения полупроводникового лазера на длине волны 5.5 мкм. Обнаружено, что при температурах ниже 6 K и малых напряжениях смещения (