Профиль » Публикация

Аннотация Изучалось изменение характеристик ток--напряжение и емкость--напряжение контактов полупроводник--твердый металл (диодов Шоттки GaAs--Ni и GaP--Au) в процессе их непрерывного нагревания. Установлено, что при некоторой температуре вентильные контакты переходят в омические. Такой переход происходит еще до возможного образования рекристаллизованного слоя, характерного для традиционного омического контакта. Температура перехода Tohm была существенно ниже температуры плавления металла. Исследование вольт-амперных характеристик этих структур, отожженных при различных температурах Tann и охлажденных до комнатной температуры, показало, что при Tann, меньших некоторой критической температуры T0, cвойства структуры практически не изменяются, при Tohm>Tann>T0 структуры остаются вентильными, но в них появляются избыточные токи, а при Tann>Tohm структуры необратимо становятся омическими. Предполагается, что после химического взаимодействия металла и приповерхностного слоя полупроводника вновь образованная поверхность приобретает свойства, обеспечивающие омические характеристики контакта металл--полупроводник.