Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, 310085 Харьков, Украина *Черновицкий государственный университет, 274012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Двумерные и трехмерные каналы проводимости на границах блоков вмозаичных кристаллах (CdHg)Te
Погребняк В.А., Раренко И.М., Халамейда Д.Д., Яковенко В.М.
Погребняк В.А., Раренко И.М., Халамейда Д.Д., Яковенко В.М. Двумерные и трехмерные каналы проводимости на границах блоков вмозаичных кристаллах (CdHg)Te // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 319
Аннотация Обнаружена дополнительная электронная проводимость по границам блоков в мозаичных кристаллах CdxHg1-xTe n-типа. В одной группе образцов проводимость по границам блоков носит двумерный(2D) характер, в другой группе более совершенных образцов--- трехмерный(3D) характер. По анализу осцилляций Шубникова--де-Гааза определены основные параметры 2D и 3D каналов: концентрации электронов, циклотронные массы, времена релаксации и подвижности. В сильном магнитном поле и при гелиевых температурах проводимость в образце осуществляется в основном по каркасу, образованному проводящими каналами на границах блоков. Сопротивление такого каркаса из2D каналов в образце размером 6x 1.5x 0.5 мм3 составляет приблизительно110 Ом и слабо зависит от температуры.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален