Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Создание ифоточувствительность гетероструктур наоснове анодизированного карбида кремния

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Создание ифоточувствительность гетероструктур наоснове анодизированного карбида кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 326

Аннотация Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетеропереходов имеет вид широкой полосы. Длинноволновый ее край обусловлен узкозонной компонентой, коротковолновый--- поглощением в SiC.