Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния

Голикова О.А.

Голикова О.А. Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 345

Аннотация Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si : H под воздействием света (W=114 мВт / см2, lambdabeta или gamma~=beta в зависимости от положения уровня Ферми до засветки, т. е. в зависимости от зарядового состояния дефектов: D- и D0 или D+ и D0. Показано также, что на индуцированную светом кинетику sigmaph влияет переход дефектов в состояние D0 за счет соответствующего сдвига уровня Ферми при засветке.