Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, 10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероструктуры сквантовыми точками: получение, свойства, лазеры

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры сквантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 385

Аннотация Дан обзор оригинальных результатов, в которых: 1)экспериментально открыт новый класс спонтанно упорядоченных наноструктур--- равновесные массивы трехмерных когерентно напряженных островков на поверхности кристаллов; 2)построена теория спонтанного формирования полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных системах; 3)экспериментально доказано существование нового класса полупроводниковых гетероструктур--- идеальных квантовых точек, обладающих delta-образным энергетическим спектром, подобным спектру одиночного атома; выполнено комплексное исследование оптических свойств квантовых точек; 4)реализованы инжекционные лазеры на квантовых точках, обладающие уникальными свойствами (высокая температурная стабильность, сверхвысокие значения усиления материала).