Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Излучение квантово-размерных структур InGaAs I.Спектры спонтанного излучения

Елисеев П.Г., Акимова И.В.

Елисеев П.Г., Акимова И.В. Излучение квантово-размерных структур InGaAs I.Спектры спонтанного излучения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 472

Аннотация Экспериментально изучены спектры спонтанного излучения напряженных квантовых ям InGaAs при 4.2/286 K при токе накачки до ~ 9.2 кА· см-2 в спектральном диапазоне 1.2/1.5 эВ. Дана интерпретация наблюдаемых полос. В спектре доминирует переход 1e-1hh (поляризация TE), положение пика которого практически не зависит от тока. Не обнаружено признаков "красного" смещения, которое ожидается при высокой концентрации носителей. Идентифицированы слабые запрещенные переходы (1e-2hh и др.). Длинноволновый край полосы следует экспоненциальному спаду, аналогично известному правилу Урбаха для края поглощения.