Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова, 117571 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние термических отжигов и химических воздействий нафотолюминесценцию пористого кремния

Шелонин Е.А., Найденкова М.В., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Марончук И.Е.

Шелонин Е.А., Найденкова М.В., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Марончук И.Е. Влияние термических отжигов и химических воздействий нафотолюминесценцию пористого кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 494

Аннотация Исследовано изменение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и спектров поглощения в ИК области образцов пористого кремния (ПК) при термических отжигах и химических обработках. Обнаружено, что обработка ПК в HCl + Zn приводит к увеличению интенсивности ФЛ более чем в 2раза и влияет на характер уменьшения интенсивности при отжигах. При сопоставлении наблюдавшихся изменений с ИК спектрами высказано предположение о ключевой роли связей Si--Hx в эффективной ФЛ вПК.