Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияРязанская государственная радиотехническая академия, 391000 Рязань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой поориентации к(100), в условиях неравновесного массопереноса

Байзер М.В., Витухин В.Ю., Закурдаев И.В., Руденко А.И.

Байзер М.В., Витухин В.Ю., Закурдаев И.В., Руденко А.И. Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой поориентации к(100), в условиях неравновесного массопереноса // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 527

Аннотация Методом дифракции медленных электронов исследована поверхность GaAs, отклоненная на 3o от (001), при нагреве в вакууме до температуры T=550oC в поле градиента температуры nabla T~=50 град/см. При отсутствии nabla T на поверхности образуется структура (1x4), которая сохраняется при отжиге в течение 1 ч. При наличии nabla T по направлениям [110] появляются дублеты, характерные для фасетированной поверхности. Аналогичная картина наблюдается после отжига кристаллов без nabla T при T=650/700oC, когда становится заметным испарение машьяка. Рассчитана величина теплоты переноса атомов Q*, которая составляет 2.3 эВ и близка к Q* у переходных металлов, что связывается с эффектом фононного увлечения атомов.