Профиль » Публикация

Аннотация Мы исследовали микроструктуру и край оптического поглощения пленок a-Si : H и сплавов a-SiNx : H (x=0.0-0.72, полученных разложением в высокочастотном тлеющем разряде разбавленных водородом моносилана и смеси SiH4 + NH3 соответственно. Структурно-неоднородные пленки с оптоэлектронными характеристиками "приборного качества" были получены при повышенных скоростях роста (до8 Angstrem/c). Как установлено методами атомной силовой микроскопии и спектроскопии ИК поглощения, характерным элементом их микроструктуры являются островки диаметром ~500 Angstrem, границы которых образованы скоплениями атомов водорода (вслучае a-Si : H) или водорода и азота (вслучае a-SiNx : H). При этом оптическая ширина запрещенной зоны a-Si : H (a-SiNx : H) определяются концентрациями связей SiH (SiN) в объеме островков и не чувствительна к изменению содержания водорода (азота) на границах островков. Этот результат находит свое объяснение в рамках модели квантовых ям, учитывающей характерные размеры микроструктуры, образованной атомами водорода либо азота.