Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия *Технический университет Мюнхена, D-85747 Гархинг, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование фотоэдс в структурах &lt;пористый Si&gt;/Si методом импульсного фотонапряжения

Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т.

Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т. Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 613

Аннотация Фотовольтаические явления в структурах < пористый Si>/Si ( por-Si/p-Si) исследованы методом импульсного фотонапряжения в интервале времен 100 нс--10 мс при облучении наносекундными лазерными импульсами с энергиями квантов 1.4, 2.0, 2.8 и3.7 эВ. Полученные данные свидетельствуют о том, что кроме барьерной фотоэдс, обусловленной разделением неравновесных носителей заряда в области пространственного заряда p-Si на границе раздела por-Si/p-Si, также существует эффективный механизм формирования фотоэдс в результате перезарядки поверхности наноструктуры por-Si. Данный механизм реализуется специфическим для полупроводниковых наноструктур образом, объясняемым как "оптическое легирование" полупроводника.