Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия * Университет Касселя (кафедра физики), Д-34182 Кассель, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова длягазовых сенсоров атомно-силовой микроскопией

Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф.

Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова длягазовых сенсоров атомно-силовой микроскопией // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 654

Аннотация Представлены результаты исследования с помощью атомно-силовой микроскопии слоев диоксида олова в зависимости от условий легирования йодом и теллуром в процессе получения слоев методом термического вакуумного напыления олова с последующим его окислением. Приведены и обсуждаются данные атомно-силовой микроскопии слоев, изготовленных в различных технологических режимах. Показано, что введение легколетучих примесей в состав исходной шихты является эффективным способом модификации структуры поверхности слоев и изменения характера ее микрорельефа. Исследована и анализируется температурная зависимость чувствительности слоев к парам толуола.