Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт Акадении наук Туркмении, 744000 Ашхабад, Туркмения *Государственный технический университет, Санкт-Петербург 195251 Россия &#36;Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Росс ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Наведенный фотоплеохроизм p-GaAlAs--p--n-GaAs структур

Бердинобатов А., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Саркисова В.М.

Бердинобатов А., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Саркисова В.М. Наведенный фотоплеохроизм p-GaAlAs--p--n-GaAs структур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 714

Аннотация Экспериментально исследована поляризационная фоточувствительность фотопреобразовательных структур анодный окисел--p-Ga0.3Al0.7As--p-n-GaAs, возникающая при наклонном падении линейно-поляризованного излучения на покрытую анодным окислом приемную плоскость. Установлено, что наведенный фотоплеохроизм структур увеличивается с ростом угла падения по квадратичному закону и в длинноволновой спектральной области (homega