Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах

Гергель В.А., Тимофеев М.В., Зеленый А.П.

Гергель В.А., Тимофеев М.В., Зеленый А.П. О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 748

Аннотация Построена физическая модель, устанавливающая связь между поверхностной плотностью свободного электронного заряда инверсионного слоя и поверхностной концентрацией неподвижных (локализованных) электронов, захваченных поверхностными состояниями границы раздела полупроводник--диэлектрик. Установлено, что при не слишком низких температурах эта связь близка к прямой пропорциональности. При этом наличие поверхностных состояний, локализующих часть поверхностного электронного заряда, проявляется как уменьшение эффективной подвижности электронов в канале МДП транзистора. Известное уменьшение поверхностной подвижности с ростом поперечного электрического поля трактуется как следствие полевых изменений положения уровня протекания, отделяющего связанные электронные состояния от свободных.