Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности электрической компенсации примеси висмута вPbSe

Немов С.А., Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Осипов П.А., Прошин В.И.

Немов С.А., Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Осипов П.А., Прошин В.И. Особенности электрической компенсации примеси висмута вPbSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 775

Аннотация Изучена самокомпенсация в массивных образцах PbSe : (Bi, Seex), изготовленных металлокерамическим методом. Исследована зависимость концентрации носителей тока при различных содержаниях висмута от величины избытка селена. Сравнением экспериментальных данных с расчетными показано, что компенсация донорного действия висмута, размещенного в катионной подрешетке, осуществляется двукратно ионизованными вакансиями свинца. В некоторых сериях образцов на зависимости концентрации носителей тока от избытка селена наблюдались немонотонности, связанные с размещением атомовBi как в катионной, так и в анионной подрешетке.