Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния

Голикова О.А., Кудоярова В.Х.

Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 876

Аннотация Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si--Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при его легировании бором а также фотоиндуцированных, на изменения ближнего и среднего порядка в структурной сетке. Показано, что при постоянной концентрации дефектов ND=const заряженные дефекты значительно сильнее влияют на структуру a-Si : H, чем нейтральные.