Профиль » Публикация

Аннотация Измерены температурные зависимости тока I при напряжениях обратного смещения структур Al--SiO2-n-Si, Al--SiO2-n-GaAs и Al--n-GaAs (с собственным окислом). Установлено, что общим свойством этих зависимостей является уменьшение энергии термической активации с увеличением приложенного напряжения и отклонение этих зависимостей от прямой, изображенных в координатах ln I от 1/T, наблюдаемое при более высоких напряжениях. Результаты объясняются на основе того, что ток через барьер обусловливается туннелированием электронов из поверхностных состояний в зону проводимости полупроводника. Из сопоставления результатов опыта с теорией туннелирования, в которой учтено влияние фононов решетки полупроводника на вероятность туннелирования, даны оценки напряженности поля в барьере Шоттки и поверхностной плотности электронных состояний в граничном слое полупроводника.