Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Использование твердофазного прямого сращивания кремния дляформирования структур солнечных элементов свертикальными p-n-переходами

Воронков В.Б., Гук Е.Г., Козлов В.А., Шварц М.З., Шуман В.Б.

Воронков В.Б., Гук Е.Г., Козлов В.А., Шварц М.З., Шуман В.Б. Использование твердофазного прямого сращивания кремния дляформирования структур солнечных элементов свертикальными p-n-переходами // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 886

Аннотация Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p+-p-n+-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.