Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербрург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование приборных характеристик низкопорогового лазера наквантовых точках, излучающего на1.9 мкм

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Лунев А.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С.

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Лунев А.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С. Исследование приборных характеристик низкопорогового лазера наквантовых точках, излучающего на1.9 мкм // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 892

Аннотация Квантовые точки InAs в матрице InGaAs, выращенной на подложке InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были использованы в качестве активной области инжекционного лазера. Лазерная генерация через состояния квантовых точек наблюдалась в диапазоне температур 77/200 K. При наименьшей пороговой плотности тока 11 А/см2 длина волны излучения составила 1.894 мкм (77 K).