Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Институт общей физики Российской академии наук, 117924 Москва, Россия &#36;Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ионная имплантация пористого фосфида галлия

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю.

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Ионная имплантация пористого фосфида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 990

Аннотация Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar и термоотжига на свойства пористого фосфида галлия (por-GaP), полученного электрохимическими методами. На основе данных комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции показано, что в отличие от пористого кремния por-GaP не обладает повышенной радиционной стойкостью, а термоотжиг дефектов в аморфизированных ионной имплантацией слоях затруднен вследствие отсутствия хорошей кристаллической основы для процессов твердотельной эпитаксиальной рекристаллизации. Данные по радиационному дефектообразованию и зондированию материала редкоземельным "люминесцентным зондом" соответствуют представлениям о мезопористой структуре материала.