Профиль » Публикация
Опубликовано
1998-00-00
ОрганизацияМосковский государственный инженерно-физический институт (технический университет), 115409 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках
Емельянова Е.В., Архипов В.И. Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках // ФТП, 1998, том 32, выпуск 8, Стр. 995
Аннотация
Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален