Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики и прикаладной математики при Уральском государственном университете, 620083 Екатеринбург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Многочастичные эффекты притуннелировании электронов вструктуре металл--изолятор--полупроводник p-типа

Миньков Г.М., Германенко А.В., Рут О.Э.

Миньков Г.М., Германенко А.В., Рут О.Э. Многочастичные эффекты притуннелировании электронов вструктуре металл--изолятор--полупроводник p-типа // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1069

Аннотация Исследована туннельная проводимость структур, изготовленных на сильно легированном узкощелевом полупроводнике p-типа HgCdTe. Обнаружено резкое возрастание туннельной проводимости sigmad(V) при напряжениях, соответствующих началу туннелирования в зону проводимости. Показано, что наблюдаемые зависимости sigmad(V) не удается описать в рамках модели одночастичного туннелирования. Предположено, что резкий рост sigmad(V) связан с туннелированием в экситонные состояния.