Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--&lt; пористый Si&gt;

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О токопереносе впористом p-Si иструктурах Pd--< пористый Si> // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1073

Аннотация Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd--p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией Nt~1.3·1013 см-3. При более высоких температурах преобладает диффузионный механизм с I~ exp(-qV/nkT) и n=10/20. Процессы релаксации обратного тока и фототока (восходящая ветвь) носят затяжной характер (доt~=100 с) и определяются влиянием ловушек с глубиной Et=0.80 эВ. Температурный ход фототока (без смещения) связан с рекомбинацией на уровне Er=0.12 и его величина в основном зависит от вклада базовой области диодной структуры.