Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * IBM Research Division, T.J.Watson Research Center, Yorktown Heights, New York, 10598, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме

Гадияк Г.В., Stathis J.

Гадияк Г.В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1079

Аннотация Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном приближении. Результаты расчетов находятся в согласии с экспериментом в диапазоне температур (480o-800oC) и толщин окислов (200-1024 Angstrem) для граней кремния (111) и (100).