Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система

Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М.

Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1122

Аннотация На примере системы пористый кремний (por-Si)--кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими методами определен процентный состав основных компонентов por-Si: кристаллического кремния, оксида кремния и пустот (пористость). Показано, что por-Si, полученный импульсным анодированием, содержит значительное количество оксида кремния. Показано также, что спектральная эллипсометрия позволяет определить удельное соотношение отдельных слоев или компонент многослойных и многокомпонентных систем (при знании спектральной дисперсии оптических констант этих компонент).