Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнситут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей
Васильев В.В., Машуков Ю.П.
Васильев В.В., Машуков Ю.П. Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1135
Аннотация Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, использующей два черных тела, которые располагаются внутри азотного криостата и имеют температуры 260 и 320 K соответственно. Показано, что ошибки в определении нижней или верхней из указанных температур на 1 K приводят к ошибке lambdac примерно на 0.3 и 0.2 мкм соответственно, если lambdac=10 мкм. Измерения на фотодиодах, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев Cd0.24Hg0.76Te (lambdac=8.1 мкм), показали, что различие в величинах lambdac, полученных данным методом и из спектральных измерений, составляет не более нескольких десятых долей мкм. Предлагается использовать данный метод как стандартный.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален