Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP вспектральной области вблизи 3.3 мкм

Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP вспектральной области вблизи 3.3 мкм // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1139

Аннотация Показаны особенности спектров непрерывной генерации многомодовых диодных лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP для спектральной области 3.3 мкм. Сообщается о наблюдении при криогенных температурах как длинноволнового, так и коротковолнового переключения мод. Показано, что подавление ближайших к основной боковых продольных мод приводит к большим модовым скачкам по энергии в процессе их токовой перестройки. Выявленные особенности объяснены неоднородностью спектра усиления вследствие спектрального выгорания дыр в узкозонных полупроводниках. Сделаны оценки времен внутризонной релаксации носителей заряда в активной области.