Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC стуннельно-тонким диэлектриком

Грехов И.В., Векслер М.И., Иванов П.А., Самсонова Т.П., Шулекин А.Ф.

Грехов И.В., Векслер М.И., Иванов П.А., Самсонова Т.П., Шулекин А.Ф. Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC стуннельно-тонким диэлектриком // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1145

Аннотация В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указывает на возможность создания биполярных SiC-транзисторов с туннельным МОП эмиттером.