Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияТомский политехнический университет, 634061 Томск, Россия *Томский государственный университет, 634034 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге

Ардышев В.М., Ардышев М.В.

Ардышев В.М., Ардышев М.В. Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1153

Аннотация Методом ВФХ исследованы концентрационные профили n(x) 28Si, имплантированного в GaAs (E=50 и 75 кэВ, F=(1.88/ 6.25)· 1012 см-2 ) после "фотонного" и "электронного" отжигов с защитой поверхности диэлектриком и без нее. Показано, что в отличие от термического отжига (800oC, 30 мин) после фотонного и электронного отжигов наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубьGaAs. Коэффициент диффузииD и степень активацииeta с ростом температуры при фотонном отжиге и мощности при электронном отжиге увеличиваются. Значения энергии активации процессов для D иeta при радиационном отжиге меньше аналогичных величин при термическом отжиге. Величины D иeta после фотонного и электронного отжигов без защитного диэлектрика выше, чем при отжиге с диэлектриком.