Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия &#36; Max-Planck-Institute of Microstructure ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сверхрешетка кластеров мышьяка варсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре

Чалдышев В.В., Берт Н.А., Куницын А.Е., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Werner P.

Чалдышев В.В., Берт Н.А., Куницын А.Е., Мусихин Ю.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Werner P. Сверхрешетка кластеров мышьяка варсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1161

Аннотация Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при 200oC выращена сверхрешетка InAs/GaAs, содержащая 30 delta-слоев InAs, номинальной толщиной 1 монослой, разделенных слоями GaAs толщиной 30 нм. Установлено, что концентрация избыточного мышьяка в такой сверхрешетке составляет 0.9· 1020 см-3. Отжиг образцов при 500 и 600oC в течение 15 мин привел к преципитации избыточного мышьяка преимущественно на delta-слоях InAs. В результате была получена сверхрешетка двумерных слоев наноразмерных кластеров As, пространственно совпадающая со сверхрешеткой delta-слоев InAs в матрице GaAs.