Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный университет, 198904 Санкт-Петербург, Россия &#36;Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs

Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Агекян В.Ф., Иванов--Омский В.И., Князевский В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1203

Аннотация Плазменной обработкой монокристаллических пластин арсенида и фосфида галлия получены тонкие широкозонные слои. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции полученных слоев и фоточувствительности структур слой/подложка. Анализ полученных результатов позволяет считать, что разработанный технологический процесс приводит к замещению атомов мышьяка и фосфора на азот и образованию на поверхности указанных полупроводников широкозонных слоев твердых растворов.