Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияГосударственый университет Молдовы, MD2009 Кишинев, Молдавия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Р ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.

Ботнарюк В.М., Бельков В.В., Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1206

Аннотация Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- иp- GaP с ориентациями (100) и(111). Изучены спектры фоточувствительности анизотипных и изотипных гетеропереходов при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны широкозонной компоненты. Обнаружена наведенная поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности, обусловленные интерференцией излучения в слое нитрида галлия.