Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, 194100 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Hahn-Meither Institute, D-12489 Berlin, Ge ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости ваморфном гидрогенизированном кремнии

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В.

Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1266

Аннотация Предложена модель кинетики спада фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии в предположении о подбарьерном туннельном характере рекомбинации неравновесных носителей. Показано, что исследование формы спада фотопроводимости при импульсном возбуждении может быть эффективно использовано для обнаружения структурных неоднородностей в аморфных или неупорядоченных полупроводниках.