Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний впленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М.

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Казанин М.М. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний впленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1269

Аннотация Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного уровня Ферми.