Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Институт физики университета г.Вюрцбурга, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур длясине-зеленых лазеров наоснове ZnSe

Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Лебедев А.В., Седова И.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Лугауэр Х.Д., Решер Г., Кайм М., Фишер Ф., Вааг А., Ландвер Г. Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур длясине-зеленых лазеров наоснове ZnSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1272

Аннотация Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.