Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерныхструктур

Соловьев В.А., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Соловьев В.А., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерныхструктур // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1300

Аннотация Сообщается о новых возможностях растровой электронной микроскопии для определения положения гетерограниц в длинноволновых лазерных структурах с использованием сигналов вторичных и отраженных электронов. Проведен анализ формирования указанных сигналов в структурах нового типа лазеров среднего инфракрасного диапазона на основе гетеропереходов IIтипа GaInAsSb/InGaAsSb, а также в традиционных гетероструктурах InAsSb/InAsSbP. Дано объяснение наблюдаемых особенностей формирования сигналов вторичных и отраженных электронов в этих структурах в сравнении с хорошо изученными структурами AlGaAs/GaAs. Полученные результаты необходимы для точного определения такого важного параметра лазеров, как положение p-n-перехода. Показано, что более предпочтительным является использование сигнала отраженных электронов.