Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный университет им. Н.Г.Чернышевского, 410071 Саратов, Россия * Electron Physics Laboratory, Helsinky University of Technology, Otakaary 7A, FIN-02150 ESPOO, Finland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик

Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М.

Федоренко Я.Г., Малинин А., Свердлова А.М. Исследование динамических характеристик границы раздела полупроводник--диэлектрик // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1337

Аннотация Представлены результаты экспериментального исследования процессов релаксации заряда в структуре металл--диэлектрик--полупроводник с окислами редкоземельных элементов Gd2O3 и Lu2O3 методом релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней, нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник, подключенной к внешней цепи с индуктивностью. На основе анализа результатов релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и изменения конфигурации области управляющих параметров "амплитуда--частота" приложенного напряжения с температурой показано, что генерация нелинейных колебаний в структуре металл--диэлектрик--полупроводник определяется свойствами границы раздела диэлектрик--полупроводник, в частности плотностью поверхностных состояний, величинами сечений захвата.