Профиль » Публикация
Опубликовано
1998-00-00
ОрганизацияНаучно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634000 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки
Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs сбарьером Шоттки // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1343
Аннотация
Проведены исследования влияния обработки атомарным водородом на свойства GaAs и на следующие характеристики контактов Au--GaAs с барьером Шоттки: показатель идеальности вольт-амперной характеристики n, высота барьера varphib и обратное напряжение Vr при токе 10 мкА. При обработке водородом поверхность GaAs была свободной (образцы A-типа), либо защищалась тонким (~50 Angstrem) слоем SiO2 (образцы B-типа). Показано, что для образцов A-типа существует оптимальный режим обработки (температура 150-250oC, длительность порядка 5 мин), при котором значения n и Vr достигают соответственно минимума и максимума. Для образцов B-типа значения n и Vr улучшаются, начиная с минимальных длительностей и температур обработки, и сохраняются, либо улучшаются во всем исследованном интервале температур (100-400oC) и длительностей (1--50 мин). Процессы пассивации примеси при этом протекают в тех и других образцах примерно одинаково.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален