Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург Россия * Hahn-Meitner Institut, Berlin, Germany &#36; Fachbereich Physick Philipps Universitat, Marburg, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием

Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H.

Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H. Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1384

Аннотация Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.