Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия

Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И.

Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1393

Аннотация Проведено систематическое исследование влияния внутренних механических напряжений на параметры светодиодов из арсенида галлия. Светоизлучающие структуры выращивались методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема раствора--расплава GaAs вGa. Раствор--расплав легировался кремнием или кремнием и оловом. Показано, что величина и знак внутренних механических напряжений в эпитаксиальном слое определяються концентрацией примеси в растворе--расплаве. Светодиоды, изготовленные из эпитаксиальных структур с минимальными внутренними механическими напряжениями, имеют максимальную квантовую эффективность и наименьшую скорость деградации параметров. Предложена модель перестройки дефектной структуры арсенида галлия, описывающая наблюдаемые явления.