Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный университет, 410026 Саратов, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле

Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В.

Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1399

Аннотация Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности на вид вольт-амперной характеристики диода учитывается изменение постоянной составляющей тока, протекающего через p-n-структуру, вследствие разогрева свободных носителей заряда и детекторного эффекта.