Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (Физический факультет), 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов Pb1-xSnxSe

Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А., Зверева Е.А.

Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А., Зверева Е.А. Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов Pb1-xSnxSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1409

Аннотация Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·1017 см-2) сплавах n-Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл--диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.