Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние кислорода на процессы ионно-лучевого синтеза скрытых слоев карбида кремния в кремнии

Артамонов В.В., Валах М.Я., Клюй Н.И., Мельник В.П., Романюк А.Б., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А.

Артамонов В.В., Валах М.Я., Клюй Н.И., Мельник В.П., Романюк А.Б., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А. Влияние кислорода на процессы ионно-лучевого синтеза скрытых слоев карбида кремния в кремнии // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1414

Аннотация Методами комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии исследованы свойства кремниевых структур со скрытыми слоями карбида кремния (SiC), сформированными высокодозовой имплантацией ионов углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Также изучено влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на особенности формирования скрытого слоя SiC. Показано, что при одинаковых режимах имплантации и постимплантационного отжига скрытый слой SiC более эффективно формируется в пластинах Cz-Si либо в Si (Cz или Fz), подвергнутом дополнительной имплантации ионов кислорода. Таким образом, кислород способствует формированию слоя SiC благодаря образованию преципитатов SiOx и аккомодации объема в области формирования фазы SiC. Также обнаружен эффект сегрегации углерода и формирования аморфной углеродной пленки на границах зерен SiC.