Профиль » Публикация
Опубликовано
1998-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Модель перераспределения эрбия в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А. Модель перераспределения эрбия в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1420
Аннотация
Развита количественная модель перераспределения примесей редкоземельных элементов в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных имплантацией слоев кремния. Параметрами модели являются коэффициент сегрегации примесиk и ширина переходного слоя. Перемещение фронта кристаллизации к поверхности сопровождается увеличением коэффициента сегрегации со скоростью, характеризующейся отношением толщины перекристаллизованного слоя к ширине переходного слоя. Увеличениеk связывается с накоплением дефектов в переходном слое. В случае тонкого Er-содержащего аморфного слоя коэффициент сегрегации не достигает значений k=1, вследствие чего примесь оттесняется к поверхности. В случае более толстого Er-содержащего слоя коэффициент сегрегации превосходит значение k=1, препятствуя накоплению примеси вблизи поверхности.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален