Профиль » Публикация

Аннотация Анализ вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции вызван широким распространением низкоомных материалов в современной твердотельной электронике. Показано, что в ходе такого анализа неприменима чисто плазменная модель полупроводника, так как необходимо учитывать зависимость подвижности носителей заряда от их концентрации mu(n). Проанализированы условия возникновения резко сверхлинейных вольт-амперных характеристик в области начального изменения mu(n) только за счет темпа изменения подвижности основных носителей (lambda-эффект). На экспериментальных вольт-амперных характеристиках lambda-эффект проявляется в виде резких скачков тока и соответствующих им высоких значений дифференциальной степени вольт-амперной (J-V) характеристики (alpha=d\lg J/d\lg V), определяемых изменением дифференциальной степени зависимости подвижности носителей заряда от концентрации lambda(n)=d\lgmu/d\lg n. Расчет показал, что механизм возникновения lambda-эффекта может быть определен при достижении уровней инжекции до~1017 см-3.