Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сверхмелкие p+-n-переходы вSi(111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области

Андронов А.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Робозеров С.В.

Андронов А.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Робозеров С.В. Сверхмелкие p+-n-переходы вSi(111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 58

Аннотация Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области сверхмелких p+-n-переходов электронами малых и средних энергий используется для изучения влияния кристаллографической ориентации кремниевых пластин в механизмах неравновесной диффузии бора. Проводится сравнительный анализ энергетических зависимостей коэффициента радиационной проводимости, а также его распределений по площади p+-n-переходов, полученных в кремниевых пластинах с ориентациями (111) и (100). Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесей диффузии в Si(111) иSi(100). Обнаружено, что механизм диффузии типа kick-out резко усиливается в кристаллографическом направлении[111], тогда как направление[100] благоприятно для диффузии бора в кремнии в условиях доминирования вакансионных механизмов. Показано, что собирание неравновесных носителей в поле p+-n-перехода может резко усилиться, если диффузионный профиль состоит из определенных комбинаций продольных и поперечных квантовыхям.